PXAC180602MD-V1-R500 cree代理 科锐代理 wolfspeed

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，*大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。

CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数*小可以达到11.5dB和13dB。
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制造商:Cree, Inc.； 产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管； RoHS:详细信息； 晶体管性:Dual N-Channel； 技术:Si； Vds-漏源击穿电压:65 V； Rds On-漏源导通电阻:60 mOhms； 增益:16.5 dB； 输出功率:320 W； *大工作温度:+ 225 C； 安装风格:SMD/SMT； 封装 / 箱体:H-37275G-6/2； 封装:Reel； 工作频率:2110 MHz to 2200 MHz； 类型:RF Power MOSFET； 商标:Wolfspeed / Cree； 通道数量:2 Channel； 产品类型:RF MOSFET Transistors； 工厂包装数量:250； 子类别:MOSFETs； Vgs - 栅-源电压:10 V
**SiC**者CREE推出了业界**900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其*新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代小尺寸、率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其*大栅电流为41.6mA/14.4mA，漏电流为17A和6A。
Cree公司（纳斯达克：CREE）宣布推出其率的X-波段，符合商业的雷达和卫星通信应用的GaN HEMT晶体管。这些新的GaN器件的额定功率为50W和100W现有的GaAsMESFET晶体管或行波管（TWT）的放大器。

CGH40045F-TB漏级偏置电路采用对称设计，主要分析原因在于降低偏置网络阻抗，提高视频带宽VBW，从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中，减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要，偏置电路是记忆效应的一个重要来源，现实中，功率管的漏到电源之间的电路阻抗（video impedance）在低频（VBW 10MHz）时并非为0，该阻抗的存在使得加载到功率管漏的电压并非是个恒定值，而是随着功放输入信号变化。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或砷化镓，包括高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了大的功率密度和宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。
科锐的 CGD15FB45P 6通道 SiC MOSFET 驱动器是一款 6包栅驱动器，针对科锐 CCSxxxM12CM2 电源模块进行了优化。这款驱动器的*大电压达 1200V，包含 Desat 和 UVLO，专为工程和评估应用而设计。