T2G6001528-Q3 微波射频代理 射频半导体

实现行业高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与*应用中技术与 RF 解决方案的供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业高水平，且体积小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo*和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为*应用提供差异化的GaN产品。两款新品的功能和封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界全、具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显著提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。

移动应用、基础设施与*应用中技术与RF解决方案的供应商Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，截至2019年6月29日的2020财年1季度财务业绩。按照GAAP计算的Qorvo 2020财年1季度收入为7.76亿美元，毛利率为37.9%，稀释每股收益为0.33美元。
此次公开的Qorvo未来的运营规划包括：
打入近地轨道卫星宽带GaN放大器市场并主导地位，从而为**几乎所有地方提供OneWeb™太空互联网连接。
高频5GHz BAW滤波器使Wi-Fi 6产品组合进一步扩展，并签订基于BAW的iFEM的设计合同，从而实现行业的范围、吞吐量和信号完整性。
签订共存BAW滤波器和LNA的设计合同，为General Motors®、Volkswagen®及其他汽车OEM提供支持。
将电源管理技术延伸至新的垂直市场，并提供电源管理解决方案，为包括Skil®电动工具在内的多种应用提供支持。
成为韩国智能手机制造商的供应商，为2019年快速发展的5G设备提供天线调谐、高频段及高频段解决方案。
签订中国一家OEM的设计合同，为即将上市的5G智能手机供应低频段、高频段和高频段解决方案。
为Samsung®供应用于大众市场Galaxy A™系列的天线调谐、高频段PAD和Wi-Fi iFEM，显著提高在中端市场的市场占有率和营业额。
基于频段 1／3／7BAW的六工器开始大量出货，实现面向出口市场的高阶的载波聚合，并供应多个中国的智能手机OEM。
接到新发布的基于BAW的天线转换开关的订单，并获得可编程5G天线调谐器（可执行孔径和阻抗调谐）的设计合同。

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

射频前端作为手机通信的组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频前端的复杂度也大大提高。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频前端的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频前端从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频前端BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频前端芯片集成度进一步提高，国频产业快速发展：射频前端从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频前端市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、MurataIDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频前端产品的竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，越年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等合计3000万台。
投资建议：5G时代射频前端变革大，受益首当其冲。从**范围来看，我们认为4G时代的四成员Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）先受益，有望继续保持**。同时重点关注切入射频前端的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA**卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感**麦捷科技。
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