PTMC210404MD-V1-R5 cree代理

深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全，长期供应，信誉度高。我们能提供的产品广泛，应用于航空航天、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户，质量，信誉的原则，层层把关渠道，把控质量，每片产品来源可追溯，得到了广大客户的认可和支持。
产品定位：工业级及以上电子元器件。
主营产品：FPGA，AD/DA转换器，DSP，嵌入式可编程门阵，运算放大器，开发板等。
X-波段的产品系列包括4个新的GaNHEMT晶体管，两个卫星通信（CGHV96050F1和CGH96100F1）和两个商业的应用（CGHV96050F2和CGHV96100F2）。所有四个晶体管提供小尺寸封装（0.9×0.7“）。
和的优点，在使用这些新的GaN器件多可到三倍大时相比，可用的GaAs MESFET晶体管。另外，视频带宽宽的GaN HEMT晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70MHz。
匹配的GaN HEMT晶体管补充以前发布的包装MMIC产品，的CMPA5585025F和CMPA801B025F，也可作为驱动的CGHV96050或CGHV96100。

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• 视距通信

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备。
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