CF004-03 微波射频代理

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供大的功率密度和宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

实现行业高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与*应用中技术与 RF 解决方案的供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业高水平，且体积小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo*和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为*应用提供差异化的GaN产品。两款新品的功能和封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界全、具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显著提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

作为**的基于微波射频MMIC/RFIC方案设计和制造商，ADI收购前Hittite已经在中国有大量的拥趸，主要为射频和微波应用制造从DC到110GHz的单片微波集成电路芯片和模块。特别是微波MMIC开关，微波MMIC衰减器和MMIC混频器产品，是在**范围内有着强的竞争力和很高的市场占有率，被广泛应用于蜂窝移动通信设备、宽带无线产品、CATV/LNB和测试仪表。收购后的ADI成为业界针对通信、测试与测量仪器仪表、工业以及航空航天和*市场应用提供完整信号链解决方案的公司，其射频、微波和毫米波产品组合具有DC至100GHz的频率范围，提供涵盖整个信号链的各功能器件。
在ADI众多收购中，与Linear的合并越Hittite的业界年度重磅大事件。作为占据半导体链前端的模拟技术的两家企业，他们的合并改写了**模拟行业的版图，产品广泛涉及数据转换器、电源管理、放大器、接口、RF和微波产品等，除了Linear的强大电源技术让ADI一跃成为**电源半导体方案提供商，其业界口碑不错的RF和微波产品在并购Hittie之后获得重磅加持，成为业界位的射频微波技术提供商。
5G微波波束成型，系统灵活性和可重构性一个都不能少。
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