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产品定位:工业级及以上电子元器件。
主营产品:FPGA,AD/DA转换器,DSP,嵌入式可编程门阵,运算放大器,开发板等。
Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 与硅或化镓相比,GaN具有优异的性能,包括高的击穿电压,高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比,GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃,存储温度为-65℃至150℃,大结温为225℃,使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中,热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W,器件在高温环境中具有良好的散热性能。
优势产品系列:
CGHV14800
CGHV96050F2
CMPA5585025D
CMPA0060025D
CMPA0060002F
CMPA0060025F
CMPA601C025D
CMPA601C025F
CMPA2560025F
CGH40006P
CGH40025
CGH40035
CGH40010
CGH40006S
CGH40045
CMPA801B025
CMPA0060002D
CGHV22100
CGH35060F
CGH35030
CGH35015
CGH09120F
CMPA5585025F
CGHV27030S
CGHV27015S
CGH27060
CGH27030S
CGH27030
CGH27015
CGHV40050
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2
CGHV59350
CGHV35150
CGHV31500F
Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商,通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识,并用以制造芯片及成套的器件,这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率,同时,与其它现有技术相比,其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途,包括多种令人兴奋的可选方案,包括:将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备。
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