HMC1034LP6GE 微波射频代理 衰减器

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

认知电子战及人工智能在领域的深入应用
1. GaN前端组件提高的功率和搜索能力
氮化镓（GaN）被认为是自硅以来影响大的半导体产品，该材料能够在比传统半导体材料高得多的电压下工作。高的电压意味着高的效率，因此基于GaN的RF功率放大器和衰减器具有低的功耗，且产生热量少。随着越来越多使用GaN的RF元件供应商为市场提供适用于生产的可靠产品，基于GaN的放大器日益普及。
该技术对于有源电子扫描阵列（AESA）系统的发展非常重要。AESA是有源的阵列，包含数百甚至数千个天线，每个天线都有其相位和增益控制。这些系统使用相控阵发射器和，以电子方式操纵波束而*物理移动天线。与其他传统相比，这些类型的系统因其高的目标功率、空间分辨率和鲁棒性而日益普及。例如，如果阵列中的某个元件发生故障，仍可以继续工作。GaN放大器在AESA中的应用日益增加，提供了好的性能，可在小的外形尺寸和低的冷却需求下实现相同的输出功率。
2. 高速数据转换器  为提供高的动态范围和宽的瞬时带宽
转换器技术每年不断进步。现在在同等分辨率下，来自主要半导体公司的模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的采样率比五年前的转换器要快好几个数量级。这些高速ADC的分辨率提高也为提供了高的动态范围和宽的瞬时带宽。动态范围是决定大工作范围的关键要素;例如，它使五代战斗机能够识别远的目标。高瞬时带宽提供了诸多好处，包括通过脉冲压缩增加空间分辨率以及实现低截获概率（LPI）等技术。高带宽带来的另一个趋势是传感器融合。使用传感器融合技术，您可以对单个信号链进行多个功能操作。例如，通过将多个频段上不同类型的波形分离开，宽带传感器可以同时用作为通信系统和。
3. 不断发展的FPGA技术提升认知的感知能力
FPGA技术也在不断发展。现代FPGA包含多逻辑，提供高的每瓦计算能力，并支持高达150 Gb/s的高速数据流和IP模块。当今的高FPGA计算能力为五年前根本无法实现的技术打开了大门。
4. 高带宽数据总线  加速各传感器的数据融合
另一个关键趋势是在将高带宽传感器数据传输回集中处理器进行计算时，PCI Express Gen 3,40/100 GbE、光纤通道和Xilinx Aurora等高带宽数据总线的重要性日益凸显。例如，F-35的集成处理器来自多个ISR传感器的数据，以便对这些数据进行集中处理。这有助于提高飞行员的情境感知能力。这一趋势的是高速串行收发器技术（也称为多千兆位收发器或MGT）的发展。近年来，该技术发展迅速，目前的线路速率达到每通道32 Gbps; 56 Gbps PAM4即将问世。FPGA通常被认为是处理资源，但它们也包含一些复杂的MGT，这使它们成为传感器开发的理想终端。

作为**的基于微波射频MMIC/RFIC方案设计和制造商，ADI收购前Hittite已经在中国有大量的拥趸，主要为射频和微波应用制造从DC到110GHz的单片微波集成电路芯片和模块。特别是微波MMIC开关，微波MMIC衰减器和MMIC混频器产品，是在**范围内有着强的竞争力和很高的市场占有率，被广泛应用于蜂窝移动通信设备、宽带无线产品、CATV/LNB和测试仪表。收购后的ADI成为业界针对通信、测试与测量仪器仪表、工业以及航空航天和*市场应用提供完整信号链解决方案的公司，其射频、微波和毫米波产品组合具有DC至100GHz的频率范围，提供涵盖整个信号链的各功能器件。
在ADI众多收购中，与Linear的合并越Hittite的业界年度重磅大事件。作为占据半导体链前端的模拟技术的两家企业，他们的合并改写了**模拟行业的版图，产品广泛涉及数据转换器、电源管理、放大器、接口、RF和微波产品等，除了Linear的强大电源技术让ADI一跃成为**电源半导体方案提供商，其业界口碑不错的RF和微波产品在并购Hittie之后获得重磅加持，成为业界位的射频微波技术提供商。
5G微波波束成型，系统灵活性和可重构性一个都不能少。

Qorvo的QPA2210D是一个Ka波段功率放大器，工作频率为27至31GHz。它提供7 W的饱和输出功率，功率增加效率为32%。该功率放大器的线性功率为2.5W，具有-25dBc互调失真产品和25dB的小信号增益。它是在Qorvo的0.15um Gan-on-SiC工艺（QGan15）上制造的。本PA是一种尺寸为2.74 x 1.432 x 0.050 mm的模具，非常适合支持卫星通信和5G基础设施。
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