T1G4020036微波射频

TGA4508主要特点
•典型频率范围：30  -  42 GHz
•21 dB标称增益
•2.8 dB标称噪声系数
•14 dBm标称P1dB @ 38 GHz
•偏置3 V，40 mA
•0.15um 3MI pHEMT技术
•芯片尺寸1.7 x 0.8 x 0.1 mm
（0.067 x 0.031 x 0.004）in
主要应用
•点对点无线电
•点对多点无线电
•Ka Band VSAT

Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。

CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
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