PTFB193404F-V1-R250 cree代理 科锐代理 wolfspeed

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其*大栅电流为41.6mA/14.4mA，漏电流为17A和6A。
Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽

2019年5月15日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为SiC（碳化硅）半导体的**参与者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks，未来汽车供应链）项目SiC（碳化硅）**合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往为快速地实施技术，并且有效率地、有效果地实现**汽车项目。
大众汽车集团采购负责人Michael Baecker先生表示：“大众汽车集团计划在未来10年发布近70款新电动车型，而此前只是计划50款。预计在未来10年，基于大众汽车集团电动汽车平台生产的汽车数量将从1500万辆增加至2200万辆。一个有效的（产业生态）网络是我们成功的关键。我们的FAST合作伙伴都是我们的战略伙伴，每个合作伙伴都是其各自领域的*。我们希望一起塑造汽车的未来。”
这项协议将两场同时进行的产业变革联结在了一起：汽车产业正在经历从内燃机向EV电动汽车的转型；而在半导体产业，SiC（碳化硅）的采用正在不断增长。这项协议同时也将推动双方的，有助于大众汽车集团好地服务他们的客户。
SiC（碳化硅）的采用将加速汽车产业向EV电动汽车的转型，帮助实现高的系统效率，从而为EV电动汽车带来长的行驶里程、快的充电，同时降低成本、降低重量和节约空间。
Cree**执行官Gregg Lowe先生表示：“Cree技术正处于EV电动汽车这场巨大变革的。我们全力支持汽车产业朝着率和采用SiC（碳化硅）基解决方案的转变。我们非常荣幸地与大众汽车集团达成合作。大众汽车集团是**汽车领域的重要力量，并坚定地致力于EV电动汽车。此次合作将充分发挥SiC（碳化硅）的优势，帮助实现长的行驶里程、短的充电时间、高的效率。我们期望能够助力大众汽车集团，推出满足未来的汽车。”
大众汽车集团和Cree将构建一级（tier one）紧密合作，通过功率模块供应，为未来的大众汽车集团汽车提供SiC（碳化硅）基解决方案。该项合作于2019年5月10日正式缔结和宣布。在不久之前的5月7日，Cree宣布将大幅提高SiC（碳化硅）MOSFET和晶圆的产能，以支持客户发展。
CGH40045F-TB漏级偏置电路采用对称设计，主要分析原因在于降低偏置网络阻抗，提高视频带宽VBW，从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中，减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要，偏置电路是记忆效应的一个重要来源，现实中，功率管的漏到电源之间的电路阻抗（video impedance）在低频（VBW 10MHz）时并非为0，该阻抗的存在使得加载到功率管漏的电压并非是个恒定值，而是随着功放输入信号变化。

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和*小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• 视距通信
英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的技术，近2000项与550名员工。用英飞凌**执行官Reinhard Ploss的话说就是：“收购Wolfspeed以后，我们将成为***大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也**会争**。”
Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是*、大功率工业设备与毫米波通信等产业的。相比硅和砷化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻低，芯片尺寸小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率高，也能够耐受高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的**替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？
答案就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年**硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。
碳化硅的高成本主要是因为碳化硅材料较传统硅材料硬度高很多，因此在生成晶体 的时候就容易出现缺陷，此外过硬也会导致生成晶体的速度变得很慢，晶圆的尺寸也做不大，现在只能做到6英寸，还有一些采用4英寸晶圆生产。合格率低与生产速度慢，所以碳化硅的价格相比IGBT工艺高太多。
虽然宽禁带半导体性能出色，但由于生产技术进展缓慢，成本高昂，所以市场增速不够理想，这或许是科锐卖掉Wolfspeed的*大原因。