CGHV59070F cree代理 科锐代理

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或砷化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽
英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的技术，近2000项与550名员工。用英飞凌**执行官Reinhard Ploss的话说就是：“收购Wolfspeed以后，我们将成为***大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也**会争**。”
Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是*、大功率工业设备与毫米波通信等产业的。相比硅和砷化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻低，芯片尺寸小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率高，也能够耐受高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的**替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？
答案就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年**硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。
碳化硅的高成本主要是因为碳化硅材料较传统硅材料硬度高很多，因此在生成晶体 的时候就容易出现缺陷，此外过硬也会导致生成晶体的速度变得很慢，晶圆的尺寸也做不大，现在只能做到6英寸，还有一些采用4英寸晶圆生产。合格率低与生产速度慢，所以碳化硅的价格相比IGBT工艺高太多。
虽然宽禁带半导体性能出色，但由于生产技术进展缓慢，成本高昂，所以市场增速不够理想，这或许是科锐卖掉Wolfspeed的*大原因。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，*大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。
CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数*小可以达到11.5dB和13dB。

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

作为碳化硅 (SiC) 电源产品的**者，Cree 旗下的 Wolfspeed 公司推出了一款 1000V MOSFET，可以降低整体系统成本，同时提高系统效率和减小系统尺寸。新的 MOSFET 专门针对快速充电和工业电源进行了优化，使得组件数量减少了 30％，同时功率密度提高了 3 倍，输出功率提高了 33％。
“Wolfspeed 的技术支持非机载充电站的广泛应用，使小，的充电系统能够以低的总成本进行高功率的充电。这个市场需要率和较宽的输出电压范围，以应对汽车供应商推出的各种电动汽车电池电压。“ Wolfspeed **技术官 John Palmour 解释说。
“Wolfspeed 新推出的 1000V SiC MOSFET 为系统设计师提供快的开关速度，而硅 MOSFET 的开关损耗十分有限。该器件提供的品质因数出了任何竞争对手的硅基 MOSFET。” Palmour 补充说。
通过推出其 1000V SiC MOSFET，Wolfspeed 以业界*完整的器件组合**市场。Wolfspeed 是**家在 2011 年发布符合商业标准的 SiC MOSFET 的公司，直到今天仍然是*者，并致力于提供优秀的技术和观。
设计人员能够通过 1000 Vds SiC MOSFET 额定值来实现从硅基三电平拓扑转换为简单的两电平拓扑，从而减少组件数量。通过低输出电容（低至 60pF）实现在降低占用面积的同时增加输出功率，从而显著降低开关损耗。该器件使得操作能够在高的开关频率下进行，这缩小了谐振储能元件的尺寸并降低了总损耗，因此降低了散热器的要求。Wolfspeed 通过构建一个 20kW 全桥谐振 LLC 转换器并将其与市面**的 15kW 硅系统进行比较，从而确定了这些证明点。

科锐的 CGD15FB45P 6通道 SiC MOSFET 驱动器是一款 6包栅驱动器，针对科锐 CCSxxxM12CM2 电源模块进行了优化。这款驱动器的*大电压达 1200V，包含 Desat 和 UVLO，专为工程和评估应用而设计。