CRD-001 cree代理 科锐代理

**SiC晶圆市场规模约为8千多亿美元，SiC晶圆与GaN on SiC磊晶技术大厂Cree为求强化自身功率及射频元件研发能力，决议2019年5月于美国总部北卡罗莱纳州特勒姆市，扩建1座先进自动化8寸SiC晶圆生产工厂与1座材料级工厂(Mega Factory)，期望借此扩建案，提升Cree在SiC晶圆上的生产尺寸与提升晶圆使用市占，并提供GaN on SiC先进磊晶技术进一步应用于功率及射频元件中。
以LED材料与元件起家的Cree，近年将研发方向集中于功率及射频元件领域的理由，可从其与Infineon的并购案渊源说起。原先Cree旗下以功率及射频元件为主力的Wolfspeed事业部因本身经营策略，已规划于2016年7月公告出售该部门至Infineon功率半导体事业体，期望借由此次并购案，使Infineon成为车用SiC元件上的霸主；但事情发展并非如此顺利，2017年2月出售案经美国外资投资会(CFIUS)评估后，以可能涉及军事管制技术原因决议禁止该并购案，迫使Cree需重新思考因应策略及经营方针。
此后Cree于2018年2月及3月时，提出与Infineon的SiC晶圆长期供货协议，并向Infineon收购其射频功率半导体事业部，试图解决美国外资投资会出售禁令的损失，保持与Infineon之合作关系。
2019年5月Cree又提出扩厂计划，说明其已将开发重心逐渐转回功率及射频元件领域上，持续投入8寸SiC晶圆生成技术的提升，藉此拉抬SiC元件于车用、工业及消费型电子领域之市占空间。
各厂于GaN on SiC磊晶技术之目标市场皆不同，后续发展仍需持续观察
现行GaN on SiC磊晶技术主要集中于Cree手中，Cree拥有大SiC晶圆市占率(过5成以上)；根据网站资料，目前使用的SiC基板尺寸大可达6寸，主要应用于功率半导体的车用、工业及消费型电子元件中，少量使用于通讯射频领域上；未来扩厂计划完工后，预期可见8寸SiC基板应用于相关功率及射频元件制造。
另外，Cree在GaN on SiC磊晶技术领域的竞争对手为NTT AT(日本电信电话先进技术)，其使用的SiC基板大尺寸为4寸，借由后续磊晶成长如AlGaN(或InAlGaN)缓冲层后，形成HEMT(高电子移动率晶体晶体管)结构，目标开发高频通讯功率元件。
因此现阶段GaN on SiC磊晶技术之应用情形，各家厂商瞄准的目标市场皆不同，该技术仍处于发展阶段，有待后续持续关注。
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或砷化镓，包括高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了大的功率密度和宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
宽带放大器
蜂窝基础设施
测试仪器
适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备。
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。

**SiC者CREE推出了业界*900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代小尺寸、率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术，是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器，以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。
CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• 视距通信