CGH60008D cree代理 科锐代理

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

Cree公司（纳斯达克：CREE）宣布推出其率的X-波段，符合商业的雷达和卫星通信应用的GaN HEMT晶体管。这些新的GaN器件的额定功率为50W和100W现有的GaAsMESFET晶体管或行波管（TWT）的放大器。

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅电流为41.6mA/14.4mA，漏电流为17A和6A。

Wolfspeed位于美国北卡罗来纳州三角研究园，过去近三十年来一直属于Cree公司，是碳化硅功率器件和碳化硅基氮化镓射频功率解决方案的主要供应商之一。其竞争力包括碳化硅晶圆衬造，以及面向射频功率器件、包含单晶氮化镓层的碳化硅晶圆衬造。这些竞争力，加上过500名技术精湛的员工，以及囊括大约2000项已经授予或正在申请的的强大知识产权组合，能够与英飞凌2015年初收购整流器公司所获得的技术和资源形成良好互补。Wolfspeed基于碳化硅的产品组合是英飞凌产品组合的理想补充。
基于化合物半导体技术的功率管理解决方案具备多重优势，能够让英飞凌的客户开发出能效高、面积小、成本低的系统。结合两家公司丰富的技术、产品组合和制造能力，英飞凌和Wolfspeed可以加快相关组件的开发进程，帮助客户开发出差异化系统。可以受益于碳化硅技术的主要应用领域包括可再生能源和汽车电子。这两个应用领域均可受益于高的功率密度和能源效率。在汽车电子应用领域，它很好地顺应近期迅速发展的插电式混合动力汽车和纯电动汽车（xEV）的趋势。组合两家企业和产品技术组合和竞争力，可大大加快基于化合物半导体技术的新产品的上市速度。
诸如5G等新一代蜂窝基础设施制式将采用高达80 GHz的频率。只有先进的化合物半导体器件能够在如此之高的频率下实现所需的效率。硅基氮化镓器件支持高的组件集成度，在高达10 GHz的工作频率下具备明显优势。碳化硅基氮化镓器件可以在高达80 GHz的频率下实现大效率。两种技术对于新一代蜂窝基础设施制式均十分重要。结合自身的硅基LDMOS产品，在收购Wolfspeed之后，英飞凌将成为业界广博的射频功率组件供应商。

CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。