TGA460微波射频代理 衰减器 优势订货

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州波士顿——（2019年微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来高级控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。
恩智浦无线电功率解决方案*副总裁兼总经理Paul Hart表示：“固态的智能控制、低维护性和易用性打开了多新应用机会，如智能烹饪和工业4.0加热设备。通过打破真空管的效率障碍，我们帮助客户释放力，同时不影响性能。”
供货信息
恩智浦的MRF24G300HS射频晶体管现在提供样品，计划于2019年三季度投入生产。2400-2500 MHz参考电路现已上市，订单号为MRF24G300HS-2450MHZ。作为恩智浦合作伙伴计划的一，Prescient Wireless, Inc.设计出了两路共550W功率放大器模块，其增益为45 dB，该设备在IMS上展示。
Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供大的功率密度和宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，率放大器在一个小封装在50欧姆。
Qorvo的TGA2595是一款平衡Ka波段功率放大器，采用Qorvo的0.15um GaN on SiC工艺制造。 平衡配置支持低回波损耗，并提高了对非理想负载的鲁棒性。工作频率范围为27.5至31 GHz，饱和输出功率为9 W，功率附加效率为22％，信号增益为30 dB。 除了出色的线性特性外，TGA2595还非常适合支持商业和*相关的卫星通信。
Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备
近日，科锐（CREE）宣布与安森美半导体（ON Semiconductor）签署多年期协议，将为安森美半导体生产和供应Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圆片。
安森美半导体是**半导体企业，服务横跨多重电子应用领域。科锐将向安森美半导体供应8500万美元（折合币约6亿元）的先进150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV电动汽车和工业应用等高速增长的市场。
安森美半导体副总裁兼**采购官Jeffrey Wincel表示：“安森美半导体持续**高能效和器件的发展。与科锐的合作非常重要，这将帮助我们保持世界的供应库。该协议将支持我们对于汽车和工业应用领域增长的承诺，确保业界的碳化硅（SiC）的供应，从而帮助工程师们解决其所面临的特设计挑战。”
科锐**执行官Gregg Lowe表示：“科锐致力于****半导体市场从硅（Si）基方案向碳化硅（SiC）基方案的转变。我们非常高兴能够支持安森美半导体，因为我们共同努力加速半导体市场向碳化硅（SiC）的转变。这是在过去一年半时间内，我们所宣布的四份碳化硅（SiC）材料重要长期协议。我们将通过持续的晶圆片供应协议（例如此份协议）和我们近期宣布的重大产能增长，继续推动碳化硅（SiC）的采用和供应。
Wolfspeed是科锐旗下公司，是生产碳化硅（SiC）产品和外延片的**企业。

Qorvo的TGA2239-CP是一款3级，50W功率放大器，工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造，提供> 30dB的小信号增益和> 31％的PAE，使系统设计人员能够以经济的方式实现的性能水平。