PXAC241002FC-V1-R2 cree代理 科锐代理 欢迎在线咨询

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

Cree公司（纳斯达克：CREE）宣布推出其的X-波段，符合商业的雷达和卫星通信应用的GaN HEMT晶体管。这些新的GaN器件的额定功率为50W和100W现有的GaAsMESFET晶体管或行波管（TWT）的放大器。

作为碳化硅 (SiC) 电源产品的者，Cree 旗下的 Wolfspeed 公司推出了一款 1000V MOSFET，可以降低整体系统成本，同时提高系统效率和减小系统尺寸。新的 MOSFET 专门针对快速充电和工业电源进行了优化，使得组件数量减少了 30％，同时功率密度提高了 3 倍，输出功率提高了 33％。
“Wolfspeed 的技术支持非机载充电站的广泛应用，使小，的充电系统能够以低的总成本进行高功率的充电。这个市场需要和较宽的输出电压范围，以应对汽车供应商推出的各种电动汽车电池电压。“ Wolfspeed **技术官 John Palmour 解释说。
“Wolfspeed 新推出的 1000V SiC MOSFET 为系统设计师提供快的开关速度，而硅 MOSFET 的开关损耗十分有限。该器件提供的品质因数出了任何竞争对手的硅基 MOSFET。” Palmour 补充说。
通过推出其 1000V SiC MOSFET，Wolfspeed 以业界完整的器件组合**市场。Wolfspeed 是家在 2011 年发布符合商业标准的 SiC MOSFET 的公司，直到今天仍然是*者，并致力于提供优秀的技术和观。
设计人员能够通过 1000 Vds SiC MOSFET 额定值来实现从硅基三电平拓扑转换为简单的两电平拓扑，从而减少组件数量。通过低输出电容（低至 60pF）实现在降低占用面积的同时增加输出功率，从而显著降低开关损耗。该器件使得操作能够在高的开关频率下进行，这缩小了谐振储能元件的尺寸并降低了总损耗，因此降低了散热器的要求。Wolfspeed 通过构建一个 20kW 全桥谐振 LLC 转换器并将其与市面的 15kW 硅系统进行比较，从而确定了这些证明点。