TAT7430B-T微波射频代理

在物联网时代，人们的位置、去向、生理讯号以及安全状况等信息将会对IoT智能楼宇产生重要影响，监测并追踪他们在室内外的活动可以大大提高系统的智能化程度，照明、电梯、自动门、空调系统和系统可以根据实际使用情况加有效的工作。未来的智能楼宇系统将会使用智能传感器来自动调整，从而提率及舒适性并减少浪费。
目前楼宇自动化的感测技术包括红外线（PIR）、摄像机（IP Cam）等，这些技术在准确性、隐私性、环境稳定性等各方面都面临着挑战，故其无法有效地满足真正智能化的要求。
毫米波（mmWave）是一种使用短波长电磁波的技术。系统发射的电磁波信号被其发射路径上的物体阻挡继而会发生反射，通过捕捉反射的信号，系统可以确定物体的距离、速度和角度。短波长的另一项优势是高准确度，工作频率为76-81GHz（对应波长约为4mm）的毫米波系统将能够检测小至零点几毫米的移动。
由大世平推出的基于TI产品的毫米波传感器，能够克服楼宇自动化中感测方面的难题。毫米波技术可以提供感测范围内的物置和速度信息的点云（Point Cloud），该技术使用高射频，即使在各种户外气象环境如强光、黑暗、雾气、烟雾和降水中依旧表现出色。
在人数统计方案中，IWR 1642管理着所有用来追踪和统计的软件，*外部处理器，仅需一个PC用于可视化和配置（GUI）。
技术优势
 76 GHz至81 GHz，提供4 GHz可用带宽；
 TX功率：12.5 dBm；
  RX噪声指数：
14 dB（76 GHz至77 GHz）；
15 dB（77 GHz至81 GHz）；
1 MHz时的相位噪声：
-95 dBc/Hz（76 GHz至77 GHz）；
-93 dBc/Hz（77 GHz 至81GHz）；
 4 RX，2 TX；
 内含C674x DSP，用于FMCW讯号处理；
 内含Cortex-R4F微控制器，用于物体追踪和分类以及接口的控制。
方案规格
 直接通过WiFi或UART读取数值；
 基本毫米波传感器模块可提供对象角度、速度、距离信息，根据人员计数应用，软件提供计算后的数值；
 此方案可整合生理讯号量测功能，除人员计数外，还可对特定空间的人员进行生理讯号量测。

射频前端作为手机通信的组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频前端的复杂度也大大提高。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频前端的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频前端从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频前端BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频前端芯片集成度进一步提高，国频产业快速发展：射频前端从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频前端市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、MurataIDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频前端产品的竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，越年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等合计3000万台。
投资建议：5G时代射频前端变革大，受益首当其冲。从**范围来看，我们认为4G时代的四成员Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）先受益，有望继续保持**。同时重点关注切入射频前端的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA**卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感**麦捷科技。

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有的高频、功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。
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