CGHV27200F 微波射频代理 衰减器

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

当年初还有媒体还在怀疑5G在**落地进展可能并不如预期时，韩国和美国很快就争先恐后在4月宣布5G正式商用迅速揭开5G行业落地的大幕。而近日中国工信部向中国电信、中国移动、、中国广电正式发放5G商用牌照，被认为是**5G发展的标志性事件。
作为无线通信划时代的发展阶段，5G被给予厚望，然而5G商业化进程中，微波射频技术在这些年的快速发展至关重要——如何在比4G基站系统小的空间内容装入过4倍、8倍甚**的通道密度，需要射频端技术的新和演进，为此**射频与微波技术企业都卯足劲陆续推出新的解决方案。其中作为面向 5G 基础设施的 RF 和微波技术及系统设计的行业者，ADI多年前通过产业并购打造从DC到100GHz的强大无线信号技术链，并在近几年连续推出多款相关的硬核产品技术，为占据5G落地先机全面布局。强强整合再出发，打造强大射频微波技术
ADI一直对自己有清晰的战略定位——**的模拟技术提供商，为此其近年来的多项战略性并购行动也指向明确地服务于这样的企业定位，包括五年前（2014年）对微波射频**重要技术提供商Hittite（讯泰）的并购，两年前完成对Linear的并购，以及引入面向工业和汽车市场的技术Symeo 和GaAs和GaN放大器公司OneTree Microdevices。

实现行业高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与*应用中技术与 RF 解决方案的供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业高水平，且体积小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo*和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为*应用提供差异化的GaN产品。两款新品的功能和封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界全、具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显著提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。
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