CGH60030D cree代理 四川

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CMPA5585025F 该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持低流耗，可降低功率分布损耗，实现高的整体系统效率。

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• 视距通信

优势产品系列：
CGHV14800
CGHV96050F2 
CMPA5585025D 
CMPA0060025D 
CMPA0060002F 
CMPA0060025F
CMPA601C025D 
CMPA601C025F 
CMPA2560025F 
CGH40006P
CGH40025 
CGH40035 
CGH40010 
CGH40006S 
CGH40045 
CMPA801B025 
CMPA0060002D
CGHV22100 
CGH35060F
CGH35030 
CGH35015 
CGH09120F 
CMPA5585025F 
CGHV27030S
CGHV27015S 
CGH27060 
CGH27030S 
CGH27030 
CGH27015 
CGHV40050 
CGH40090PP
CMPA2735075F
CGHV96100F2 
CGHV59350 
CGHV35150 
CGHV31500F

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅电流为41.6mA/14.4mA，漏电流为17A和6A。
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