CGH40025P cree代理

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CMPA5585025F 该器件采用小型封装，可减小晶体管尺寸与重量，降低热管理的成本，从而实现出色的线性效率（比传统解决方案高 60%）。此外，该器件运行时需要的工作电压（28 伏特）大于 GaAs MESFET（12 伏特），因此晶体管还支持低流耗，可降低功率分布损耗，实现高的整体系统效率。

优势产品系列：
CGHV14500 
CGHV14250
CGH55030F
CGH55015F
CGH35240
CGH35060F
CGH31240 
CMPA801B025D 
CMPA2735075D 
CGH55030F
CGH55015F
CGHV40100 
CGHV40030 
CGHV60170D 
CGHV60075D5 
CGHV60040D 
CGHV40320D 
CGHV1F025S 
CGHV1F006S 
CGHV1J070D 
CGHV1J025D 
CGHV1J006D 
CGH40180PP 
CGH40120P 
CGH40120F 
CMPA2560025D 
CGH60120D 
CGH60060D
CGH60030D 
CGH60015D 
CGH60008D 
CGHV35400F 
CGHV27100
CGHV22200
CGHV27200
CGH21240F
CGH25120F
CGH21120F
CGH80030D
CMPA2060025D
CGHV35060MP
CGHV27060MP
CGHV59070
CMPA1D1E030D
CGHV96050F1 
CGHV50200F 
CMPA1D1E025F

CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽
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