HMC699LP5E 微波射频代理

Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。

Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有的功率附加效率。与硅或化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供大的功率密度和宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

射频前端作为手机通信的组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频前端的复杂度也大大提高。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频前端的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频前端从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频前端BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频前端芯片集成度进一步提高，国频产业快速发展：射频前端从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频前端市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、MurataIDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频前端产品的竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，越年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等合计3000万台。
投资建议：5G时代射频前端变革大，受益首当其冲。从**范围来看，我们认为4G时代的四成员Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）先受益，有望继续保持**。同时重点关注切入射频前端的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA**卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感**麦捷科技。

CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为公司长期增长战略的一部分，将投资10亿美元（折合币约67.8亿元）用于扩大SiC碳化硅产能，在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料级工厂。其中，4.5亿美元用于North Fab；4.5亿美元用于材料级工厂（mega factory）；1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。
这项投资是Cree迄今为止大的投资，将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后，这些工厂将大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能，使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。
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