CGH35015F cree代理

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产品定位：工业级及以上电子元器件。
主营产品：FPGA，AD/DA转换器，DSP，嵌入式可编程门阵，运算放大器，开发板等。
Cree的CMPA2560025F是一个氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）基于单片微波集成电路（MMIC）。 GaN具有优异的性能相比，硅或化镓，包括高的击穿电压，高饱和电子漂移速度，高的导热系数。 GaN HEMT器件还提供了大的功率密度和宽的带宽相比，Si和GaAs晶体管。这MMIC包含两个阶段的被动匹配的放大器，使很宽的带宽要达到占地面积小螺旋式封装，配有钨铜散热器。
典型应用包括
双通道私人电台
         宽带放大器
         蜂窝基础设施
         测试仪器
         适于 OFDM、W CDMA、Edge、CDMA 波形的 A 类、AB 类线性放大器
         Cree RF 器件尤其适用于高功率通信，这得益于我们所使用的碳化硅 (SiC) 材料。

CGH40045F-TB漏级偏置电路采用对称设计，主要分析原因在于降低偏置网络阻抗，提高视频带宽VBW，从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中，减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要，偏置电路是记忆效应的一个重要来源，现实中，功率管的漏到电源之间的电路阻抗（video impedance）在低频（VBW 10MHz）时并非为0，该阻抗的存在使得加载到功率管漏的电压并非是个恒定值，而是随着功放输入信号变化。

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽

优势产品系列：
CGHV14500 
CGHV14250
CGH55030F
CGH55015F
CGH35240
CGH35060F
CGH31240 
CMPA801B025D 
CMPA2735075D 
CGH55030F
CGH55015F
CGHV40100 
CGHV40030 
CGHV60170D 
CGHV60075D5 
CGHV60040D 
CGHV40320D 
CGHV1F025S 
CGHV1F006S 
CGHV1J070D 
CGHV1J025D 
CGHV1J006D 
CGH40180PP 
CGH40120P 
CGH40120F 
CMPA2560025D 
CGH60120D 
CGH60060D
CGH60030D 
CGH60015D 
CGH60008D 
CGHV35400F 
CGHV27100
CGHV22200
CGHV27200
CGH21240F
CGH25120F
CGH21120F
CGH80030D
CMPA2060025D
CGHV35060MP
CGHV27060MP
CGHV59070
CMPA1D1E030D
CGHV96050F1 
CGHV50200F 
CMPA1D1E025F
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