FLK107XV 微波射频代理 毫米波

认知电子战及人工智能在领域的深入应用
1. GaN前端组件提高的功率和搜索能力
氮化镓（GaN）被认为是自硅以来影响大的半导体产品，该材料能够在比传统半导体材料高得多的电压下工作。高的电压意味着高的效率，因此基于GaN的RF功率放大器和衰减器具有低的功耗，且产生热量少。随着越来越多使用GaN的RF元件供应商为市场提供适用于生产的可靠产品，基于GaN的放大器日益普及。
该技术对于有源电子扫描阵列（AESA）系统的发展非常重要。AESA是有源的阵列，包含数百甚至数千个天线，每个天线都有其相位和增益控制。这些系统使用相控阵发射器和，以电子方式操纵波束而*物理移动天线。与其他传统相比，这些类型的系统因其高的目标功率、空间分辨率和鲁棒性而日益普及。例如，如果阵列中的某个元件发生故障，仍可以继续工作。GaN放大器在AESA中的应用日益增加，提供了好的性能，可在小的外形尺寸和低的冷却需求下实现相同的输出功率。
2. 高速数据转换器  为提供高的动态范围和宽的瞬时带宽
转换器技术每年都在不断进步。现在在同等分辨率下，来自主要半导体公司的模数转换器（ADC）和数模转换器（DAC）的采样率比五年前的转换器要快好几个数量级。这些高速ADC的分辨率提高也为提供了高的动态范围和宽的瞬时带宽。动态范围是决定大工作范围的关键要素;例如，它使五代战斗机能够识别远的目标。高瞬时带宽提供了诸多好处，包括通过脉冲压缩增加空间分辨率以及实现低截获概率（LPI）等技术。高带宽带来的另一个趋势是传感器融合。使用传感器融合技术，您可以对单个信号链进行多个功能操作。例如，通过将多个频段上不同类型的波形分离开，宽带传感器可以同时用作为通信系统和。
3. 不断发展的FPGA技术提升认知的感知能力
FPGA技术也在不断发展。现代FPGA包含多逻辑，提供高的每瓦计算能力，并支持高达150 Gb/s的高速数据流和IP模块。当今的高FPGA计算能力为五年前根本无法实现的技术打开了大门。
4. 高带宽数据总线  加速各传感器的数据融合
另一个关键趋势是在将高带宽传感器数据传输回集中处理器进行计算时，PCI Express Gen 3,40/100 GbE、光纤通道和Xilinx Aurora等高带宽数据总线的重要性日益凸显。例如，F-35的集成处理器来自多个ISR传感器的数据，以便对这些数据进行集中处理。这有助于提高飞行员的情境感知能力。这一趋势的是高速串行收发器技术（也称为多千兆位收发器或MGT）的发展。近年来，该技术发展迅速，目前的线路速率达到每通道32 Gbps; 56 Gbps PAM4即将问世。FPGA通常被认为是处理资源，但它们也包含一些复杂的MGT，这使它们成为传感器开发的理想终端。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供佳的瞬时宽带性能。与硅或化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与硅和化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供大的功率密度和宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，率放大器在一个小封装在50欧姆。

CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），为率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
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