TGA2511微波射频代理

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备
安森美半导体是**半导体企业，服务横跨多重电子应用领域。科锐将向安森美半导体供应8500万美元（折合币约6亿元）的150mm碳化硅（SiC）裸片和外延片，用于EV电动汽车和工业应用等高速增长的市场。
安森美半导体副总裁兼采购官Jeffrey Wincel表示：“安森美半导体持续**高能效和器件的发展。与科锐的合作非常重要，这将帮助我们保持世界的供应库。该协议将支持我们对于汽车和工业应用领域增长的承诺，确保业界的碳化硅（SiC）的供应，从而帮助们解决其所面临的特设计挑战。”

Qorvo的QPA2210D是一个Ka波段功率放大器，工作频率为27至31GHz。它提供7 W的饱和输出功率，功率增加效率为32%。该功率放大器的线性功率为2.5W，具有-25dBc互调失真产品和25dB的小信号增益。它是在Qorvo的0.15um Gan-on-SiC工艺（QGan15）上制造的。本PA是一种尺寸为2.74 x 1.432 x 0.050 mm的模具，非常适合支持卫星通信和5G基础设施。

就在工信部发放5G拍照周，ADI宣布推出一款面向毫米波 (mmWave) 5G 基础设施的新型解决方案，该解决方案整合了 ADI 的波束成形 IC、上/下变频 (UDC) 和其它混合信号电路，宣称拥有目前高的集成度，以降低下一代蜂窝网络基础设施的设计要求和复杂性。
这款新型毫米波 5G 芯片组包括16通道ADMV4821双/单化波束成形IC，和16 通道单化波束成形芯片ADMV4801，以及毫米波 UDC的ADMV1017。这组24至 30 GHz 波束成形+ UDC解决方案构成了一个符合 3GPP 5G NR 标准的毫米波前端，支持 n261、n257 和 n258 频段。高通道密度，加上支持单化和双化部署的能力，大地增强了针对多种 5G 用例的系统灵活性和可重构性，而同类佳的等效全向辐射功率 (EIRP) 则扩展了无线电覆盖范围和密度。
兼顾5G和小尺寸，微波上变频器和下变频器集成度很重要
而稍早前，ADI在今年2月宣布推出高集成度微波上变频器和下变频器ADMV1013 和 ADMV1014，在24 GHz至44 GHz的宽频率范围内工作，使得在构建的单一平台上可以支持所有5G毫米波频带（包括28 GHz和39 GHz），从而简化设计并降低成本。
此外，该芯片组能够提供平坦的1 GHz RF瞬时带宽，支持所有宽带服务以及其他宽带宽收发器应用。每个上变频器和下变频器均高度集成，包括I（同相）和Q（正交相）混频器，片内可编程正交移相器可配置为直接变频至/自基带（工作频率范围：DC至6 GHz）或变频至IF（工作频率范围：800 MHz至6 GHz）。
片内还集成了电压可变衰减器、发射PA驱动器（上变频器中）和接收LNA（下变频器中）、集成4倍倍频器的LO缓冲器和可编程跟踪滤波器。大多数可编程功能通过SPI串行接口控制。通过此端口，这些芯片还为每个上变频器和下变频器提供特功能以纠正各自的正交相位不平衡，因此可以提高通常难以抑制的边带发射性能，从32 dBc典型值改善10 dB或以上。这样，可提供无可匹敌的微波无线电性能。这些特性组合提供**的灵活性和易用性，同时将外部元件减至少，支持实现小型蜂窝等小尺寸系统。
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