PXAC261212FC-V1-R0 cree代理

【温馨提示】IC型号众多，没办法一一列出，而价格和库存也会随时变动，没办法每天进行新，所以网上标的价格不作为双方买卖价格，仅供参考，敬请谅解。详情请咨询我司销售人员， 海外一手渠道订货，量大优惠， 请与我们联系！
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅电流为41.6mA/14.4mA，漏电流为17A和6A。

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备。

英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的技术，近2000项与550名员工。用英飞凌执行官Reinhard Ploss的话说就是：“收购Wolfspeed以后，我们将成为**大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也**会争。”
Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是*、大功率工业设备与毫米波通信等产业的。相比硅和化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻低，芯片尺寸小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率高，也能够耐受高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？
 就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年**硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%
http://gyhx151010.b2b168.com
欢迎来到深圳市希罗斯科技有限公司网站， 具体地址是广东省深圳市福田区滨河大道5022号联合广场A座2609室，联系人是王小姐。 主要经营深圳市希罗斯科技有限公司主营：DSP数字信号处理器、FPGA赛灵思、放大器、数模转换器DAC、微波射频、IC芯片、电子元器件、集成电路等产品。价格实惠，质量有保证，欢迎在线咨询。。 单位注册资金单位注册资金人民币 100 万元以下。 我们公司主要供应IC芯片,集成电路,电子元器件等产品，我们的产品货真价实，性能可靠，欢迎电话咨询！