CGHV22100F cree代理 原包原盒

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CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。

X-波段的产品系列包括4个新的GaNHEMT晶体管，两个卫星通信（CGHV96050F1和CGH96100F1）和两个商业的应用（CGHV96050F2和CGHV96100F2）。所有四个晶体管提供小尺寸封装（0.9×0.7“）。
和的优点，在使用这些新的GaN器件多可到三倍大时相比，可用的GaAs MESFET晶体管。另外，视频带宽宽的GaN HEMT晶体管允许在多载波应用中的使用与双音间距高达70MHz。
匹配的GaN HEMT晶体管补充以前发布的包装MMIC产品，的CMPA5585025F和CMPA801B025F，也可作为驱动的CGHV96050或CGHV96100。

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽

CGH40045F-TB漏级偏置电路采用对称设计，主要分析原因在于降低偏置网络阻抗，提高视频带宽VBW，从而减小功放管的电记忆效应。
当功放管在数字预失真方案中，减小记忆效应对功放的影响显的尤为重要，偏置电路是记忆效应的一个重要来源，现实中，功率管的漏到电源之间的电路阻抗（video impedance）在低频（VBW 10MHz）时并非为0，该阻抗的存在使得加载到功率管漏的电压并非是个恒定值，而是随着功放输入信号变化。
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