NPT1015 微波射频代理

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供佳的瞬时宽带性能。与硅或化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与硅和化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供大的功率密度和宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。

Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有的高频、功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。

Qorvo的TGA2239-CP是一款3级，50W功率放大器，工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造，提供> 30dB的小信号增益和> 31％的PAE，使系统设计人员能够以经济的方式实现的性能水平。
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