T2G6001528-Q3 微波射频代理

Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有的高频、功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。

Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。

CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，率放大器在一个小封装在50欧姆。

技术及应用的新发展趋势
当前面对日益复杂多变的战场电磁环境挑战，各国大力提升电子战装备的智能化水平。随着信号产生技术、高功率发射技术、天线技术、信息处理技术等电子信息技术的发展，技术的发展进入新的阶段。主要表现为的工作频率、带宽、分辨率提升，集探测、跟踪、通信、分析的多功能架构，数字化技术向天线端前移，真空管器件逐渐被固态器件替代，阵列阵元数量的不断增加，认知电子战及人工智能在领域的深入应用等。
的工作频率、带宽、分辨率提升
大的工作带宽能够使获得高的分辨率，多波段、共享频谱使得能够在多个波段同时工作，高的工作频率使得加小型化从而能够在小的平台上安装。
集探测、跟踪、通信、分析的多功能架构
如今一部机载能够完成搜索、跟踪、火控、天气、合成孔径等多种功能，而F22、F35等四代战机配置的综合孔径系统则能实现、通信、电子战一体化。
数字化技术向天线端前移
表现在天线由机械扫描向相控阵电子扫描发展，无源相控阵(PESA)向有源相控阵(AESA)、数字阵列(DAR)发展，数字波束形成(DBF)技术得到大大的发展等方面。
真空管器件逐渐被固态器件替代
固态器件具有好的性能(GaAs,GaN,SiC)、低的成本，可以实现微波单片集成电路、片上系统以及片上等。
阵列阵元数量不断增加
得益于阵元成本、尺寸、功率不断减小，使得阵列天线具有高的集成度，阵元数量不断增加。
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