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深圳市希罗斯科技有限公司是一家主营Xilinx/Broadcom/Altera/AD/TI的分销商, 为国内研究所机构及高等院校提供一站式服务平台。型号齐全，长期供应，信誉度高。我们能提供的产品广泛，应用于航空**、船舶、汽车电子、计算机、铁路、电子、通信网络、电力工业以及大型工业设备等。深圳市希罗斯科技有限公司坚守以客户，质量，信誉的原则，层层把关渠道，把控质量，每片产品来源可追溯，得到了广大客户的认可和支持。
产品定位：工业级及以上电子元器件。
主营产品：FPGA，AD/DA转换器，DSP，嵌入式可编程门阵，运算放大器，开发板等。
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管的工作电压均为40V，源漏电压分别为125V和100V，较大的工作电压和源漏电压使得器件可以适用于中等电压的工作环境中。栅源电压范围为2V至10V和-10V至+2V，较低的栅源电压即可驱动晶体管。当器件处于25℃环境中时，其大栅电流为41.6mA/14.4mA，漏电流为17A和6A。

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• 视距通信

英飞凌（Infineon）宣布以8.5亿美元收购科锐（Cree）旗下Wolfspeed的全部资产，包括其基于碳化硅（SiC）的功率解决方案与碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）的射频功率解决方案，制造碳化硅衬底的技术，近2000项与550名员工。用英飞凌执行官Reinhard Ploss的话说就是：“收购Wolfspeed以后，我们将成为**大的碳化硅功率半导体厂商，在射频功率领域我们也**会争。”
Wolfspeed作为科锐宽禁带（wide bandgap）半导体产品部门已经有将近三十年的历史，主要从事碳化硅、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体材料的技术研究与制造生产。2015年9月科锐宣布准备将Wolfspeed拆分出来立上市，但是1月份又宣布上市计划推迟，如今干脆将其卖给了英飞凌。
碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体是*、大功率工业设备与毫米波通信等产业的。相比硅和化镓（GaAs）等材料，碳化硅和氮化镓等宽禁带材料击穿电场强度大、饱和电子迁移率高、热稳定性好、介电常数小、抗辐射能力强等特点，能够大幅提升电子器件在高压、高频、高功率环境下的性能，在工业、军事、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。
以碳化硅为例，碳化硅的击穿电场强度是传统硅器件的9倍多，使用碳化硅工艺生产的功率器件导通电阻低，芯片尺寸小。此外相比普通硅功率器件，碳化硅器件的工 作频率高，也能够耐受高的环境温度。在高压功率市场，碳化硅器件简直是IGBT的替代者，但是为何到目前为止，IGBT仍然占据主流应用呢？
 就是成本。据ROHM半 导体分立器件部水原德健曾介绍，在2015年，同一规格的产品，碳化硅器件的价格是原有硅器件的5至6倍。这么高的价格自然阻碍了碳化硅功率器件的应 用推广，用户只有在对性能与可靠性要求为严苛时，才会考虑使用碳化硅产品。2014年**硅功率器件市场规模大约为100亿美元左右，但是碳化硅功率器 件市场则仅有1.2亿美元。
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