CG2H30070F cree代理

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CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
• 氮化镓高迁移率晶体管
• 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
• 典型输出功率分别为200W和50W
• 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和小可达到13dB
• 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
• 工作温度为-40℃~150℃
• 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
• 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
• 卫星通讯
• 视距通信

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽

Cree 公司是市场上的革新者与半导体的制造商，通过显著地提高固态照明、电力及通讯产品的能源效率来提高它们的。 Cree的市场优势关键来源于其在有氮化镓(GaN)的碳化硅(SiC)领域特的材料知识，并用以制造芯片及成套的器件，这些芯片及成套的器件可在很小的空间里处理大的功率，同时，与其它现有技术相比，其材料及产品发热低。 Cree将能源回归解决方案(ROE™)用于多种用途，包括多种令人兴奋的可选方案，包括：将亮、可调节的发光二管用于一般照明、获得鲜艳显示效果的背光、用于高电流开关电源和变速电动机的佳电力管理、以及为有效的数据与语音通讯用无线基础设施。Cree的客户范围涵盖范围从新型照明灯具制造商直至与*有关的联邦机构。 Cree的产品系列包括蓝色和绿色发光二管芯片、照明用发光二管、背光发光二管、电源开关器件、以及广播/无线设备。

CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。
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