CMPA601C025D cree代理

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CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。

CGHV50200F和CGHV96050F1的工作频率非常高，其峰值工作频率可以高达4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz，如此高的工作频率范围，使得该系列器件可以应用于卫星通信以及视距通信等应用领域。器件的典型输出功率为200W和50W。当器件在当前工作频率范围内工作时，其信号增益系数小可以达到11.5dB和13dB。

CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%

Cree的CMPA0060025F是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 与硅或化镓相比，GaN具有优异的性能，包括高的击穿电压，高的饱和电子漂移速度和高的导热率。
与Si和GaAs晶体管相比，GaN HEMT还提供大的功率密度和宽的带宽。 该MMIC可在小尺寸螺旋封装中实现宽的带宽
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