HMC1034LP6GE 微波射频代理

面向2.45 GHz射频能量的GaN-on-SiC晶体管的效率越大多数磁控管
与磁控管相比，固态可实现智能控制、减少维护、简化操作
凭借GaN-on-SiC，恩智浦可在不影响效率的情况下提供固态的所有优势
马萨诸塞州顿——（2019年微波研讨会）——2019年6月4日——恩智浦半导体（纳斯达克代码：NXPI）今日宣布推出使用碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)的针对射频能量设计的射频功率晶体管。MRF24G300HS利用GaN的率，以2.45 GHz越大多数磁控管的效率，而SiC的高热导率有助于确保连续波(CW)操作。
50多年来，2.45 GHz磁控管广泛应用于从微波炉到高功率焊接机等消费者和工业应用领域。数年前，固态解决方案出现在市场上，实现了带来控制、可靠性和易用性。动态调整功率、频率和相位的能力有助于优化传输到被加热材料或食物的能量。在额定性能下，晶体管的长使用寿命可减少换需求。然而，在用于射频能量的GaN-on-SiC出现之前，固态设备的效率不足以达到现有磁控管的性能标准。
MRF24G300HS是330 W CW、50 V GaN-on-SiC晶体管，在2.45 GHz时的能量转换效率为73%，比新的LDMOS技术高五个点。GaN的高功率密度使设备能够以小尺寸实现高输出功率。与LDMOS相比，GaN技术本身具有高输出阻抗，允许宽带匹配。这缩短了设计时间，确保生产线上的一致性，*多手动调节。MRF24G300HS射频晶体管的简化门偏压省去了GaN设备上常见的复杂加电序列步骤。

Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。

移动应用、基础设施与*应用中技术与RF解决方案的供应商Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，截至2019年6月29日的2020财年1季度财务业绩。按照GAAP计算的Qorvo 2020财年1季度收入为7.76亿美元，毛利率为37.9%，稀释每股收益为0.33美元。
此次公开的Qorvo未来的运营规划包括：
打入近地轨道卫星宽带GaN放大器市场并主导地位，从而为**几乎所有地方提供OneWeb™太空互联网连接。
高频5GHz BAW滤波器使Wi-Fi 6产品组合进一步扩展，并签订基于BAW的iFEM的设计合同，从而实现行业的范围、吞吐量和信号完整性。
签订共存BAW滤波器和LNA的设计合同，为General Motors®、Volkswagen®及其他汽车OEM提供支持。
将电源管理技术延伸至新的垂直市场，并提供电源管理解决方案，为包括Skil®电动工具在内的多种应用提供支持。
成为韩国智能手机制造商的供应商，为2019年快速发展的5G设备提供天线调谐、高频段及高频段解决方案。
签订中国一家OEM的设计合同，为即将上市的5G智能手机供应低频段、高频段和高频段解决方案。
为Samsung®供应用于大众市场Galaxy A™系列的天线调谐、高频段PAD和Wi-Fi iFEM，显著提高在中端市场的市场占有率和营业额。
基于频段 1／3／7BAW的六工器开始大量出货，实现面向出口市场的高阶的载波聚合，并供应多个中国的智能手机OEM。
接到新发布的基于BAW的天线转换开关的订单，并获得可编程5G天线调谐器（可执行孔径和阻抗调谐）的设计合同。

Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供佳的瞬时宽带性能。与硅或化镓相比，氮化镓具有高的击穿电压、高的饱和电子漂移速度和高的热导率。与硅和化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供大的功率密度和宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得佳的电气和热性能。
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